레포트 (14)
Si wafer KOH etching(실리콘 웨이퍼 에칭)
에칭 과정 중에 시각적으로 관찰될 수 있다.에칭의 결정 방향성: 실리콘의 결정 구조에 따라 에칭 속도와 패턴이 달라진다. KOH는결정면에서 가장 빠르게 에칭되며,결정면은 상대적으로 느리고,결정면은 거의 에칭되지 않는다. 이 특성은 웨이퍼의 결정 방향을 고려하여 에칭 마스크를
5페이지 | 5,000원 | 2024.05.07
Si Wafer 제조 공정목 차ㆍ웨이퍼란 ?ㆍ웨이퍼 제조공정웨 이 퍼 란 ?실리콘 웨이퍼웨이퍼 제조공정1. Poly silicon2. CrystalGrowing3. Evaluationg4. slicing5. Lapping6. Etching7. HeatTraeatment8. Polishing9. Cleaning10. Inspection11. Wafer 완성단결정 성장절 단경면연마세척&검사단결정 성장(1/5)Poly Silicon다결정 실리
17페이지 | 1,700원 | 2010.09.08
실리콘과 다결정 실리콘의 특성 비교a-Si TFT Poly-Si TFTMaterial일정한 방향성이 거의 없는random 구조일정한 결정방향을 가지는 결정체들이Grain boundary를 경계로 결합한 Si film소자 특성이동도 < 1 (cm2/V-s )S-factor< 1 (V/decade)이동도 > 100 (cm2/V-s )s-factor
26페이지 | 10,000원 | 2010.03.24
[공학기술]박막 공정(THIN-FILM PROCESS) 조사보고서
Etching)식각공정은 궁극적으로 기판 상에 미세회로를 형성하는 과정으로서 현상공정을통해 형성된 PR pattern과 동일한 metal(혹은 기타 deposition된 물질)pattern을만 든다. 식각 공정은 그 방식에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 구분하는데,wet etching이라 함은 금속 등과 반응하여부식시키는산(acid)계열의
61페이지 | 3,000원 | 2007.10.27
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