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[재료학] 고저항 웨이퍼 SOI Wafer 박막 트렌지스터 제작실험(영문)
실험값은 3.7V가 나왔는데 좀 크게 나온것을 알 수 있씁니다.13Mobility 값은 300K 실온에서 Si 실리콘에서 전자 채널 형성되었을 때의 mobility값 1350보다 작은 값이 나왔습니다14Subthreshold swing 값은 일반적인 값인 0.1(저는0.07로알고있는뎋ㅎ) 보다 크게나왔습니다.15On off ratio역시 10의 6승으로 일반적인 값
25페이지 | 1,900원 | 2012.04.24
실험한 ‘웨이퍼 공정 방법에 따른 탄소나노튜브 개발’, 관련 전공과목들인 반도체공학, 소자 및 공정, 물리전자, 응용전자회로 등을 통해 기본기를 탄탄히 하였습니다. 또한 반도체 관련 회사에서의 품질 보증팀, 하드웨어 개발팀에서의 경험을 통해 제품 개발 및 철야를 통한 고객요구 대응, 제품검
4페이지 | 1,500원 | 2020.11.22
Si wafer KOH etching(실리콘 웨이퍼 에칭)
1. 실험 제목칼륨 수산화(KOH) 용액을 이용한 실리콘 웨이퍼의 에칭 특성 분석2. 실험 목적본 실험의 주된 목적은 칼륨 수산화(KOH) 용액을 사용하여 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 과정을 이해하고, 에칭 매개 변수가 실리콘의 미세 구조에 미치는 영향을 조사하는 것이다. 이 실험을 통해 우리는 다음과 같
5페이지 | 5,000원 | 2024.05.07
산화공정1. 실험목적실리콘 IC 웨이퍼 제조의 기초는 웨이퍼 표면에 산화층을 열적으로 성장시키는 능력이다. 실리콘 기판 속으로 불순물을 확산시켜서 산화층을 열적으로 성장시키고 식각시키고 패턴화되는 산화막 마스킹 공정이 1950년부터 두드러지게 개발되었다. 이 개발은 트랜지스터를 대량으
4페이지 | 1,200원 | 2013.12.23
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